8英寸射频测试探针台MPS200T
应用方向:主要用于GaAs射频芯片S参数测试、GaN/SiC功率器件的IV参数测...
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18502873311应用方向:
主要用于GaAs射频芯片S参数测试、GaN/SiC功率器件的IV参数测试、阻抗参数的测试测量等。
技术指标:
可测试Wafer尺寸:2英寸~8英寸
Chuck XY向行程:205mm*205mm
Chuck移动分辨率:旋钮调节
Chuck旋转范围: ±10°微调
Chuck Z向接触分离:1mm
Chuck 真空: 分三档输入
台面Z向行程:3mm,接触分离1mm
上下片方式:快速抽拉上下片
视频显示系统:体式显微镜加装CCD
应用方向:主要用于GaAs射频芯片S参数测试、GaN/SiC功率器件的IV参数测...
应用方向:主要用于GaAs射频芯片S参数测试、GaN/SiC功率器件的IV参数测...